PD快充
    发布时间: 2024-04-28 12:18    
PD快充

芯片特点

★ DFN8*8封装集成SSR控制器和650VDmode-GaNFET

★ 满足6级能效,低于75mW待机功耗

★ "高频率Max160Khz操作范围,内置软启动,OCP,SCP,OCP,UVLO,OTP,Brown in/out全方位保护功能”

★ 配合GR8386CG15nS超短关断延时同步整流,专利技术降低MOS尖峰应力,保护系统安全可靠性

★ 满足LPS(Limited power Supply)安规要求


GR8386CG同步整流控制器

★ 支持CCM、DCM和QR工作模式

★ 15nsSR关断延迟

★ 低输出电压工作的自供电

★ 宽VDD范围从3.0V至25V

★ 空载运行电流低于250uA

★ 自适应最小关断时间控制

★ 65W合封控制器氨化镓方案优势;

★ 效率高,EMC余量6DB以上,BOM成本低,体积小。

★ 集成积分电路电阻,只需要一颗0.1uF电容的极简外围